ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล > APT100GT120JR
APT100GT120JR
APT100GT120JR
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT100GT120JR
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
52429 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT100GT120JR.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT100GT120JR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT100GT120JR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT100GT120JR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT100GT120JR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.7V @ 15V, 100A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOTOP®
ชุด:Thunderbolt IGBT®
เพาเวอร์ - แม็กซ์:570W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:No
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:18 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:6.7nF @ 25V
อินพุต:Standard
ประเภท IGBT:NPT
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP®
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):100µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):123A
องค์ประกอบ:Single
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT100GT120JR

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT100GT120JRDQ4 Image APT100GT120JRDQ4 Microsemi IGBT 1200V 123A 570W SOT227 การสอบสวน
APT100S20LCTG Image APT100S20LCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 การสอบสวน
APT100DL60HJ Image APT100DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 การสอบสวน
APT100GLQ65JU2 Microsemi POWER MODULE - IGBT การสอบสวน
APT100GT120JU2 Image APT100GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 การสอบสวน
APT100GN60B2G Image APT100GN60B2G Microsemi IGBT 600V 229A 625W TMAX การสอบสวน
APT100MC120JCU2 Image APT100MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP การสอบสวน
APT100GF60JU2 Image APT100GF60JU2 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 การสอบสวน
APT100GN120B2G Image APT100GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 245A 960W TMAX การสอบสวน
APT100GT60B2RG Image APT100GT60B2RG Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT247 การสอบสวน
APT100GT120JU3 Image APT100GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 การสอบสวน
APT100F50J Image APT100F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 การสอบสวน
APT100GT60JRDQ4 Image APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 การสอบสวน
APT100GF60JU3 Image APT100GF60JU3 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 การสอบสวน
APT100GT60JR Image APT100GT60JR Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 การสอบสวน
APT100GN60LDQ4G Image APT100GN60LDQ4G Microsemi IGBT 600V 229A 625W TO264 การสอบสวน
APT100M50J Image APT100M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 การสอบสวน
APT100GN120JDQ4 Image APT100GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 การสอบสวน
APT100GN120J Image APT100GN120J Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 การสอบสวน
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 การสอบสวน

ข่าว Latest