US6M11TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla US6M11TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla US6M11TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup US6M11TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
US6M11TR
- Part Number:
- US6M11TR
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49794 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.US6M11TR.pdf2.US6M11TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | UMT6 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Moc - Max: | 1W |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Inne nazwy: | US6M11DKR |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 110pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 1.8nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V, 12V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 1.5A, 1.3A |
| Podstawowy numer części: | *M11 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do US6M11TR
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS