US6M11TR
Modèle de produit:
US6M11TR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
49794 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.US6M11TR.pdf2.US6M11TR.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Package composant fournisseur:UMT6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Puissance - Max:1W
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:US6M11DKR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:110pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:1.8nC @ 4.5V
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V, 12V
Description détaillée:Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.5A, 1.3A
Numéro de pièce de base:*M11
Email:[email protected]

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