US6M11TR
Número de pieza:
US6M11TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
49794 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.US6M11TR.pdf2.US6M11TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Paquete del dispositivo:UMT6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Potencia - Max:1W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:US6M11DKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:110pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.8nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V, 12V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.5A, 1.3A
Número de pieza base:*M11
Email:[email protected]

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