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US6M11TR
- Modello di prodotti:
- US6M11TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 49794 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.US6M11TR.pdf2.US6M11TR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | UMT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | US6M11DKR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V, 12V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.5A, 1.3A |
| Numero di parte base: | *M11 |
| Email: | [email protected] |
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