US6M11TR ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für US6M11TR, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für US6M11TR per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie US6M11TR mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
US6M11TR
- Artikelnummer:
- US6M11TR
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 49794 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.US6M11TR.pdf2.US6M11TR.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Supplier Device-Gehäuse: | UMT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Leistung - max: | 1W |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Andere Namen: | US6M11DKR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.8nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V, 12V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 1.5A, 1.3A |
| Basisteilenummer: | *M11 |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für US6M11TR
läst Nachrichten
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern