EPC2110 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EPC2110, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EPC2110 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EPC2110 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EPC2110
- Part Number:
- EPC2110
- Producent:
- EPC
- Opis:
- MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28205 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EPC2110.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 700µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Die |
| Seria: | eGaN® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 60 mOhm @ 4A, 5V |
| Moc - Max: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | Die |
| Inne nazwy: | 917-1152-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 80pF @ 60V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 0.8nC @ 5V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Cecha FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 120V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 3.4A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EPC2110
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2112ENGRT | EPC | 200 V GAN IC FET DRIVER | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2202 | EPC | GANFET N-CH 80V 18A DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2107 | EPC | MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2108 | EPC | MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2815 | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2801 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2115ENGRT | EPC | 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2111 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2105 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2203 | EPC | GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2111ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2818 | EPC | TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
|
EPC2106 | EPC | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił