EPC2110 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل EPC2110، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل EPC2110 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء EPC2110 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
EPC2110
- رقم القطعة:
- EPC2110
- الصانع:
- EPC
- وصف:
- MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28205 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- EPC2110.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 700µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | Die |
| سلسلة: | eGaN® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 4A, 5V |
| السلطة - ماكس: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | Die |
| اسماء اخرى: | 917-1152-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 80pF @ 60V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.8nC @ 5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET الميزة: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 120V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEPC2110
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | تحقيق |
 |
EPC2112ENGRT | EPC | 200 V GAN IC FET DRIVER | تحقيق |
 |
EPC2202 | EPC | GANFET N-CH 80V 18A DIE | تحقيق |
 |
EPC2107 | EPC | MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA | تحقيق |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2108 | EPC | MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA | تحقيق |
 |
EPC2815 | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2801 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2115ENGRT | EPC | 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER | تحقيق |
 |
EPC2111 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | تحقيق |
|
EPC2105 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | تحقيق |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2203 | EPC | GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR | تحقيق |
|
EPC2111ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | تحقيق |
 |
EPC2818 | EPC | TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2106 | EPC | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي