polski
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
O nas | Skontaktuj się z nami | Poprosić o wycenę |
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2106
EPC2106
EPC2106
Part Number:
EPC2106
Producent:
EPC
Opis:
TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
Status bezołowiowy:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Wielkość zbiorów:
35009 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Czas oczekiwania:
4-8 weeks
Arkusz danych:
EPC2106.pdf
Zapytanie ofertowe

Wprowadzenie

EPC2106 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EPC2106, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EPC2106 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EPC2106 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New & Original, tested
Kraj pochodzenia Contact us
Oznaczenie kodu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 600µA
Dostawca urządzeń Pakiet:Die
Seria:eGaN®
RDS (Max) @ ID, Vgs:70 mOhm @ 2A, 5V
Moc - Max:-
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:Die
Inne nazwy:917-1110-2
temperatura robocza:-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:14 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:75pF @ 50V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:0.73nC @ 5V
Rodzaj FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Cecha FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Spust do źródła napięcia (Vdss):100V
szczegółowy opis:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:1.7A
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze

Podobne zamienne do EPC2106

Obraz Part Number Producenci Opis Widok
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Zapytanie ofertowe
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Zapytanie ofertowe
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER Zapytanie ofertowe
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Zapytanie ofertowe
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA Zapytanie ofertowe
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE Zapytanie ofertowe
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE Zapytanie ofertowe
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA Zapytanie ofertowe
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Zapytanie ofertowe
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE Zapytanie ofertowe
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Zapytanie ofertowe
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Zapytanie ofertowe
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Zapytanie ofertowe
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Zapytanie ofertowe

Latest Aktualności