EPC2801 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EPC2801, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EPC2801 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EPC2801 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EPC2801
- Part Number:
- EPC2801
- Producent:
- EPC
- Opis:
- TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 20457 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EPC2801.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 950pF @ 50V |
| Napięcie - Podział: | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 7 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (maks.): | 5V |
| Technologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Seria: | eGaN® |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 25A (Ta) |
| Polaryzacja: | Die |
| Inne nazwy: | 917-1035-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | EPC2801 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 10nC @ 5V |
| Rodzaj IGBT: | +6V, -5V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.5V @ 5mA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 100V 25A (Ta) Surface Mount Die |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| Stosunek pojemności: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EPC2801
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen