EPC2815 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EPC2815, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EPC2815 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EPC2815 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EPC2815
- Part Number:
- EPC2815
- Producent:
- EPC
- Opis:
- TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 49138 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EPC2815.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 1200pF @ 20V |
| Napięcie - Podział: | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4 mOhm @ 33A, 5V |
| Vgs (maks.): | 5V |
| Technologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Seria: | eGaN® |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 33A (Ta) |
| Polaryzacja: | Die |
| Inne nazwy: | 917-1036-6 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | EPC2815 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 11.6nC @ 5V |
| Rodzaj IGBT: | +6V, -5V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.5V @ 9mA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 40V |
| Stosunek pojemności: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EPC2815
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen