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APT50M65B2FLLG
- Modello di prodotti:
- APT50M65B2FLLG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 37039 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT50M65B2FLLG.pdf2.APT50M65B2FLLG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | T-MAX™ [B2] |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 65 mOhm @ 33.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 694W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 23 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7010pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 141nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 500V 67A (Tc) 694W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 67A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT50M65B2FLLG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT50M65JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT50M65LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT50GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | Inchiesta |
|
APT50M65LLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Inchiesta |
|
APT50GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT50GT120B2RG | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | Inchiesta |
|
APT50GT60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 110A 446W TO247 | Inchiesta |
|
APT50GT120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | Inchiesta |
|
APT50M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT50M75JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 | Inchiesta |
|
APT50MC120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V SOT227 | Inchiesta |
|
APT50M50JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50N60JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50M75JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50N60JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 110A 446W TO247 | Inchiesta |
|
APT50M38JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT50M65B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Inchiesta |
|
APT50GT120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO264 | Inchiesta |
|
APT50GT120JRDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 72A 379W SOT227 | Inchiesta |
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