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APT50GT60BRG
- Modello di prodotti:
- APT50GT60BRG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 110A 446W TO247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 39846 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT50GT60BRG.pdf2.APT50GT60BRG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 50A |
| Condizione di test: | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 14ns/240ns |
| di scambio energetico: | 995µJ (on), 1070µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | Thunderbolt IGBT® |
| Potenza - Max: | 446W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | APT50GT60BRGMI APT50GT60BRGMI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 240nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 150A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 110A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT50GT60BRG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT50GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | Inchiesta |
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APT50M65LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Inchiesta |
|
APT50GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT50M38JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT50M50JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50M75JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT50GS60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | Inchiesta |
|
APT50GT120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO264 | Inchiesta |
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APT50M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50M75JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 | Inchiesta |
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APT50M65B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Inchiesta |
|
APT50GT120JRDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 72A 379W SOT227 | Inchiesta |
|
APT50GS60BRG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | Inchiesta |
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APT50M65LLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Inchiesta |
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APT50GT120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | Inchiesta |
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APT50GT120B2RDLG | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO-247 | Inchiesta |
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APT50GT120B2RG | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | Inchiesta |
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APT50GT60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 110A 446W TO247 | Inchiesta |
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APT50M65JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Inchiesta |
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APT50M65B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Inchiesta |
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