APT50GT60BRG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT50GT60BRG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT50GT60BRG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT50GT60BRG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT50GT60BRG
- رقم القطعة:
- APT50GT60BRG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 110A 446W TO247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39846 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APT50GT60BRG.pdf2.APT50GT60BRG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 50A |
| اختبار حالة: | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 14ns/240ns |
| تحويل الطاقة: | 995µJ (on), 1070µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | Thunderbolt IGBT® |
| السلطة - ماكس: | 446W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | APT50GT60BRGMI APT50GT60BRGMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 240nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 150A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 110A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT50GT60BRG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT50GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | تحقيق |
 |
APT50M65LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | تحقيق |
|
APT50GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | تحقيق |
 |
APT50M38JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT50M50JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 | تحقيق |
|
APT50M75JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT50GS60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | تحقيق |
|
APT50GT120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO264 | تحقيق |
|
APT50M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | تحقيق |
|
APT50M75JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 | تحقيق |
 |
APT50M65B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | تحقيق |
|
APT50GT120JRDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 72A 379W SOT227 | تحقيق |
|
APT50GS60BRG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | تحقيق |
|
APT50M65LLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | تحقيق |
|
APT50GT120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | تحقيق |
|
APT50GT120B2RDLG | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO-247 | تحقيق |
|
APT50GT120B2RG | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | تحقيق |
|
APT50GT60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 110A 446W TO247 | تحقيق |
|
APT50M65JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | تحقيق |
|
APT50M65B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟