ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT50GT60BRG
APT50GT60BRG
APT50GT60BRG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT50GT60BRG
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 600V 110A 446W TO247
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
39846 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT50GT60BRG.pdf2.APT50GT60BRG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT50GT60BRG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT50GT60BRG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT50GT60BRG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT50GT60BRG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.5V @ 15V, 50A
ทดสอบสภาพ:400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:14ns/240ns
การสลับพลังงาน:995µJ (on), 1070µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247 [B]
ชุด:Thunderbolt IGBT®
เพาเวอร์ - แม็กซ์:446W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
ชื่ออื่น:APT50GT60BRGMI
APT50GT60BRGMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:18 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:240nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):150A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):110A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT50GT60BRG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT50GT120JU3 Image APT50GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 75A 347W SOT227 การสอบสวน
APT50M65LFLLG Image APT50M65LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 การสอบสวน
APT50GT120JU2 Image APT50GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 75A 347W SOT227 การสอบสวน
APT50M38JLL Image APT50M38JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 การสอบสวน
APT50M50JLL Image APT50M50JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 การสอบสวน
APT50M75JLLU3 Image APT50M75JLLU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 การสอบสวน
APT50GS60BRDQ2G Image APT50GS60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 93A 415W TO247 การสอบสวน
APT50GT120LRDQ2G Image APT50GT120LRDQ2G Microsemi IGBT 1200V 106A 694W TO264 การสอบสวน
APT50M65JFLL Image APT50M65JFLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 การสอบสวน
APT50M75JLLU2 Image APT50M75JLLU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 การสอบสวน
APT50M65B2LLG Image APT50M65B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX การสอบสวน
APT50GT120JRDQ2 Image APT50GT120JRDQ2 Microsemi IGBT 1200V 72A 379W SOT227 การสอบสวน
APT50GS60BRG Image APT50GS60BRG Microsemi IGBT 600V 93A 415W TO247 การสอบสวน
APT50M65LLLG Image APT50M65LLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 การสอบสวน
APT50GT120B2RDQ2G Image APT50GT120B2RDQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 625W TO247 การสอบสวน
APT50GT120B2RDLG Image APT50GT120B2RDLG Microsemi IGBT 1200V 106A 694W TO-247 การสอบสวน
APT50GT120B2RG Image APT50GT120B2RG Microsemi IGBT 1200V 94A 625W TO247 การสอบสวน
APT50GT60BRDQ2G Image APT50GT60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 110A 446W TO247 การสอบสวน
APT50M65JLL Image APT50M65JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 การสอบสวน
APT50M65B2FLLG Image APT50M65B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX การสอบสวน

ข่าว Latest