ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT50M65B2FLLG
APT50M65B2FLLG
APT50M65B2FLLG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT50M65B2FLLG
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
37039 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT50M65B2FLLG.pdf2.APT50M65B2FLLG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT50M65B2FLLG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT50M65B2FLLG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT50M65B2FLLG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT50M65B2FLLG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:T-MAX™ [B2]
ชุด:POWER MOS 7®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:65 mOhm @ 33.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):694W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3 Variant
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:23 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:7010pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:141nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):500V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 500V 67A (Tc) 694W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:67A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT50M65B2FLLG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT50M65JLL Image APT50M65JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 การสอบสวน
APT50M65LFLLG Image APT50M65LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 การสอบสวน
APT50GT120JU3 Image APT50GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 75A 347W SOT227 การสอบสวน
APT50M65LLLG Image APT50M65LLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 การสอบสวน
APT50GT120JU2 Image APT50GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 75A 347W SOT227 การสอบสวน
APT50GT120B2RG Image APT50GT120B2RG Microsemi IGBT 1200V 94A 625W TO247 การสอบสวน
APT50GT60BRDQ2G Image APT50GT60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 110A 446W TO247 การสอบสวน
APT50GT120B2RDQ2G Image APT50GT120B2RDQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 625W TO247 การสอบสวน
APT50M65JFLL Image APT50M65JFLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 การสอบสวน
APT50M75JLLU2 Image APT50M75JLLU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 การสอบสวน
APT50MC120JCU2 Image APT50MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V SOT227 การสอบสวน
APT50M50JLL Image APT50M50JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 การสอบสวน
APT50N60JCCU2 Image APT50N60JCCU2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 การสอบสวน
APT50M75JLLU3 Image APT50M75JLLU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 การสอบสวน
APT50N60JCU2 Image APT50N60JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 การสอบสวน
APT50GT60BRG Image APT50GT60BRG Microsemi IGBT 600V 110A 446W TO247 การสอบสวน
APT50M38JLL Image APT50M38JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 การสอบสวน
APT50M65B2LLG Image APT50M65B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX การสอบสวน
APT50GT120LRDQ2G Image APT50GT120LRDQ2G Microsemi IGBT 1200V 106A 694W TO264 การสอบสวน
APT50GT120JRDQ2 Image APT50GT120JRDQ2 Microsemi IGBT 1200V 72A 379W SOT227 การสอบสวน

ข่าว Latest