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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT50M65B2FLLG
APT50M65B2FLLG
APT50M65B2FLLG
Modelo do Produto:
APT50M65B2FLLG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
37039 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.APT50M65B2FLLG.pdf2.APT50M65B2FLLG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:T-MAX™ [B2]
Série:POWER MOS 7®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 33.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):694W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3 Variant
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:23 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7010pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:141nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição detalhada:N-Channel 500V 67A (Tc) 694W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:67A (Tc)
Email:[email protected]

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