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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT50GT60BRDQ2G
APT50GT60BRDQ2G
APT50GT60BRDQ2G
Modelo do Produto:
APT50GT60BRDQ2G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 600V 110A 446W TO247
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
52919 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.APT50GT60BRDQ2G.pdf2.APT50GT60BRDQ2G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.5V @ 15V, 50A
Condição de teste:400V, 50A, 5 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:14ns/240ns
Alternando Energia:995µJ (on), 1070µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247 [B]
Série:Thunderbolt IGBT®
Inversa de tempo de recuperação (trr):22ns
Power - Max:446W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Outros nomes:APT50GT60BRDQ2GMI
APT50GT60BRDQ2GMI-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
portão de carga:240nC
Descrição detalhada:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
Atual - Collector Pulsada (ICM):150A
Atual - Collector (Ic) (Max):110A
Email:[email protected]

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