Το APT50GT60BRDQ2G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT50GT60BRDQ2G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT50GT60BRDQ2G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT50GT60BRDQ2G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APT50GT60BRDQ2G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APT50GT60BRDQ2G
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- IGBT 600V 110A 446W TO247
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 52919 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.APT50GT60BRDQ2G.pdf2.APT50GT60BRDQ2G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.5V @ 15V, 50A |
| Test Condition: | 400V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| Td (on / off) στους 25 ° C: | 14ns/240ns |
| εναλλαγή Ενέργειας: | 995µJ (on), 1070µJ (off) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-247 [B] |
| Σειρά: | Thunderbolt IGBT® |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 22ns |
| Ισχύς - Max: | 446W |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-247-3 |
| Αλλα ονόματα: | APT50GT60BRDQ2GMI APT50GT60BRDQ2GMI-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Standard |
| IGBT Τύπος: | NPT |
| πύλη Χρέωση: | 240nC |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM): | 150A |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 110A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APT50GT60BRDQ2G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APT50M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT50M38JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 | Έρευνα |
 |
APT50GT120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | Έρευνα |
 |
APT50GT120B2RDLG | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO-247 | Έρευνα |
 |
APT50GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | Έρευνα |
|
APT50M65B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Έρευνα |
 |
APT50M50JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT50GT120B2RG | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | Έρευνα |
 |
APT50GT120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO264 | Έρευνα |
|
APT50GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | Έρευνα |
|
APT50M65LLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Έρευνα |
|
APT50M65B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Έρευνα |
|
APT50GS60BRDLG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | Έρευνα |
|
APT50M65LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Έρευνα |
|
APT50M65JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT50GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 110A 446W TO247 | Έρευνα |
|
APT50GS60BRG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | Έρευνα |
|
APT50GS60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | Έρευνα |
|
APT50GT120JRDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 72A 379W SOT227 | Έρευνα |
|
APT50M75JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;