APT50GT60BRDQ2G è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APT50GT60BRDQ2G, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APT50GT60BRDQ2G via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APT50GT60BRDQ2G con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APT50GT60BRDQ2G
- Modello di prodotti:
- APT50GT60BRDQ2G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 110A 446W TO247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 52919 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT50GT60BRDQ2G.pdf2.APT50GT60BRDQ2G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 50A |
| Condizione di test: | 400V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 14ns/240ns |
| di scambio energetico: | 995µJ (on), 1070µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | Thunderbolt IGBT® |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 22ns |
| Potenza - Max: | 446W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | APT50GT60BRDQ2GMI APT50GT60BRDQ2GMI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 240nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 150A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 110A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT50GT60BRDQ2G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT50M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50M38JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT50GT120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | Inchiesta |
 |
APT50GT120B2RDLG | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO-247 | Inchiesta |
 |
APT50GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | Inchiesta |
|
APT50M65B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT50M50JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50GT120B2RG | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | Inchiesta |
 |
APT50GT120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO264 | Inchiesta |
|
APT50GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | Inchiesta |
|
APT50M65LLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Inchiesta |
|
APT50M65B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Inchiesta |
|
APT50GS60BRDLG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | Inchiesta |
|
APT50M65LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Inchiesta |
|
APT50M65JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 110A 446W TO247 | Inchiesta |
|
APT50GS60BRG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | Inchiesta |
|
APT50GS60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | Inchiesta |
|
APT50GT120JRDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 72A 379W SOT227 | Inchiesta |
|
APT50M75JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?