ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT50GT120LRDQ2G
APT50GT120LRDQ2G
APT50GT120LRDQ2G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT50GT120LRDQ2G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 1200V 106A 694W TO264
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
53011 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT50GT120LRDQ2G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT50GT120LRDQ2G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT50GT120LRDQ2G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT50GT120LRDQ2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT50GT120LRDQ2G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.7V @ 15V, 50A
ทดสอบสภาพ:800V, 50A, 1 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:23ns/215ns
การสลับพลังงาน:2585µJ (on), 1910µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-264 [L]
ชุด:Thunderbolt IGBT®
เพาเวอร์ - แม็กซ์:694W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-264-3, TO-264AA
ชื่ออื่น:APT50GT120LRDQ2GMI
APT50GT120LRDQ2GMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:32 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:240nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole TO-264 [L]
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):150A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):106A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT50GT120LRDQ2G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT50GT60BRG Image APT50GT60BRG Microsemi IGBT 600V 110A 446W TO247 การสอบสวน
APT50GS60BRG Image APT50GS60BRG Microsemi IGBT 600V 93A 415W TO247 การสอบสวน
APT50M65B2LLG Image APT50M65B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX การสอบสวน
APT50M38JLL Image APT50M38JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 การสอบสวน
APT50GT120B2RG Image APT50GT120B2RG Microsemi IGBT 1200V 94A 625W TO247 การสอบสวน
APT50M65LLLG Image APT50M65LLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 การสอบสวน
APT50GT120JU3 Image APT50GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 75A 347W SOT227 การสอบสวน
APT50GR120L Image APT50GR120L Microsemi IGBT 1200V 117A 694W TO264 การสอบสวน
APT50GT120B2RDQ2G Image APT50GT120B2RDQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 625W TO247 การสอบสวน
APT50GT120B2RDLG Image APT50GT120B2RDLG Microsemi IGBT 1200V 106A 694W TO-247 การสอบสวน
APT50M65LFLLG Image APT50M65LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 การสอบสวน
APT50M65B2FLLG Image APT50M65B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX การสอบสวน
APT50M65JLL Image APT50M65JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 การสอบสวน
APT50GT120JU2 Image APT50GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 75A 347W SOT227 การสอบสวน
APT50M65JFLL Image APT50M65JFLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 การสอบสวน
APT50GS60BRDLG Image APT50GS60BRDLG Microsemi IGBT 600V 93A 415W TO247 การสอบสวน
APT50GT120JRDQ2 Image APT50GT120JRDQ2 Microsemi IGBT 1200V 72A 379W SOT227 การสอบสวน
APT50GS60BRDQ2G Image APT50GS60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 93A 415W TO247 การสอบสวน
APT50GT60BRDQ2G Image APT50GT60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 110A 446W TO247 การสอบสวน
APT50M50JLL Image APT50M50JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 การสอบสวน

ข่าว Latest