APT50GS60BRDQ2G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT50GS60BRDQ2G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT50GS60BRDQ2G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT50GS60BRDQ2G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT50GS60BRDQ2G
- رقم القطعة:
- APT50GS60BRDQ2G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 93A 415W TO247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37835 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APT50GS60BRDQ2G.pdf2.APT50GS60BRDQ2G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.15V @ 15V, 50A |
| اختبار حالة: | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 16ns/225ns |
| تحويل الطاقة: | 755µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | Thunderbolt IGBT® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 25ns |
| السلطة - ماكس: | 415W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | APT50GS60BRDQ2GMI APT50GS60BRDQ2GMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 235nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B] |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 195A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 93A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT50GS60BRDQ2G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT50GS60BRG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | تحقيق |
|
APT50GP60BG | Microsemi | IGBT 600V 100A 625W TO247 | تحقيق |
 |
APT50GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | تحقيق |
|
APT50GT120JRDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 72A 379W SOT227 | تحقيق |
|
APT50GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 110A 446W TO247 | تحقيق |
 |
APT50GT120B2RDLG | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO-247 | تحقيق |
|
APT50GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 117A 694W TO247 | تحقيق |
|
APT50GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | تحقيق |
|
APT50GT120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | تحقيق |
 |
APT50GP60LDLG | Microsemi | IGBT 600V 150A 625W TO264 | تحقيق |
 |
APT50GP60J | Microsemi | IGBT 600V 100A 329W SOT227 | تحقيق |
|
APT50GT60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 110A 446W TO247 | تحقيق |
|
APT50GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 107A 366W TO247 | تحقيق |
|
APT50GP60JDQ2 | Microsemi | IGBT 600V 100A 329W SOT227 | تحقيق |
|
APT50GP60B2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 150A 625W TMAX | تحقيق |
 |
APT50GR120JD30 | Microsemi | IGBT 1200V 84A 417W SOT227 | تحقيق |
 |
APT50GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 117A 694W TO264 | تحقيق |
|
APT50GT120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO264 | تحقيق |
|
APT50GT120B2RG | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | تحقيق |
|
APT50GS60BRDLG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS