APT50GR120JD30 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT50GR120JD30، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT50GR120JD30 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT50GR120JD30 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT50GR120JD30
- رقم القطعة:
- APT50GR120JD30
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 84A 417W SOT227
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39983 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT50GR120JD30.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.2V @ 15V, 50A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 417W |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 5.55nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 1.1mA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 84A |
| ترتيب: | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT50GR120JD30
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT50GT120B2RG | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | تحقيق |
|
APT50GS60BRG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | تحقيق |
 |
APT50GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 117A 694W TO264 | تحقيق |
 |
APT50GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | تحقيق |
|
APT50GP60BG | Microsemi | IGBT 600V 100A 625W TO247 | تحقيق |
 |
APT50GP60JDQ2 | Microsemi | IGBT 600V 100A 329W SOT227 | تحقيق |
 |
APT50GP60LDLG | Microsemi | IGBT 600V 150A 625W TO264 | تحقيق |
|
APT50GN120L2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 134A 543W TO264 | تحقيق |
|
APT50GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 347W SOT227 | تحقيق |
|
APT50GS60BRDLG | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | تحقيق |
|
APT50GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 107A 366W TO247 | تحقيق |
 |
APT50GT120B2RDLG | Microsemi | IGBT 1200V 106A 694W TO-247 | تحقيق |
|
APT50GS60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 93A 415W TO247 | تحقيق |
|
APT50GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 117A 694W TO247 | تحقيق |
|
APT50GT120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | تحقيق |
|
APT50GP60B2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 150A 625W TMAX | تحقيق |
|
APT50GN120B2G | Microsemi | IGBT 1200V 134A 543W TO-247 | تحقيق |
|
APT50GT120JRDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 72A 379W SOT227 | تحقيق |
|
APT50GN60BDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 107A 366W TO247 | تحقيق |
|
APT50GP60J | Microsemi | IGBT 600V 100A 329W SOT227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟