العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > APT50M75JLLU2
APT50M75JLLU2
APT50M75JLLU2
رقم القطعة:
APT50M75JLLU2
الصانع:
Microsemi
وصف:
MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
21036 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.APT50M75JLLU2.pdf2.APT50M75JLLU2.pdf
تحقيق

المقدمة

APT50M75JLLU2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT50M75JLLU2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT50M75JLLU2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT50M75JLLU2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227
سلسلة:POWER MOS 7®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:75 mOhm @ 25.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):290W (Tc)
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:32 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5590pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:123nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف تفصيلي:N-Channel 500V 51A (Tc) 290W (Tc) Chassis Mount SOT-227
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:51A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPT50M75JLLU2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT50MC120JCU2 Image APT50MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V SOT227 تحقيق
APT50GT60BRG Image APT50GT60BRG Microsemi IGBT 600V 110A 446W TO247 تحقيق
APT50M65LFLLG Image APT50M65LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 تحقيق
APT50M75JLLU3 Image APT50M75JLLU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 تحقيق
APT50M65JLL Image APT50M65JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 تحقيق
APT50GT60BRDQ2G Image APT50GT60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 110A 446W TO247 تحقيق
APT53N60SC6 Image APT53N60SC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK تحقيق
APT50M65B2FLLG Image APT50M65B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX تحقيق
APT50M65JFLL Image APT50M65JFLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 تحقيق
APT53F80J Image APT53F80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 تحقيق
APT50M65LLLG Image APT50M65LLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 تحقيق
APT50N60JCCU2 Image APT50N60JCCU2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 تحقيق
APT54GA60B Image APT54GA60B Microsemi IGBT 600V 96A 416W TO-247 تحقيق
APT50M38JLL Image APT50M38JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 تحقيق
APT50N60JCU2 Image APT50N60JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 تحقيق
APT50M65B2LLG Image APT50M65B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX تحقيق
APT51F50J Image APT51F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 تحقيق
APT53N60BC6 Image APT53N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 تحقيق
APT50M50JLL Image APT50M50JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 تحقيق
APT51M50J Image APT51M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 تحقيق

Latest الأخبار