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APT50MC120JCU2
- Modello di prodotti:
- APT50MC120JCU2
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1200V SOT227
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 44333 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT50MC120JCU2.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 1mA (Typ) |
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 34 mOhm @ 50A, 20V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2980pF @ 1000V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 179nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1200V 71A (Tc) 300W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 71A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT50MC120JCU2
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT54GA60B | Microsemi | IGBT 600V 96A 416W TO-247 | Inchiesta |
 |
APT50M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50N60JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50M65JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT53N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT50M50JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT54GA60BD30 | Microsemi | IGBT 600V 96A 416W TO247 | Inchiesta |
|
APT50M38JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT5510JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT53N60SC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK | Inchiesta |
|
APT50N60JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT50M65LLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Inchiesta |
|
APT50M75JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT50M65B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Inchiesta |
|
APT53F80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT51M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50M65B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Inchiesta |
|
APT50M65LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Inchiesta |
|
APT51F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50M75JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Inchiesta |
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