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APT54GA60BD30
- Modello di prodotti:
- APT54GA60BD30
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 96A 416W TO247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 41342 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT54GA60BD30.pdf2.APT54GA60BD30.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 32A |
| Condizione di test: | 400V, 32A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 17ns/112ns |
| di scambio energetico: | 534µJ (on), 466µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 416W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | APT54GA60BD30MI APT54GA60BD30MI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 29 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 28nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 161A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 96A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT54GA60BD30
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT53F80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT56M50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT54GA60B | Microsemi | IGBT 600V 96A 416W TO-247 | Inchiesta |
 |
APT56F50L | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT50M75JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT5518BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 | Inchiesta |
|
APT5510JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT53N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 | Inchiesta |
|
APT55M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50N60JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT56F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 | Inchiesta |
|
APT50N60JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT55M50JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT50MC120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V SOT227 | Inchiesta |
|
APT51M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT53N60SC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK | Inchiesta |
|
APT56M50L | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 | Inchiesta |
|
APT56F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-264 | Inchiesta |
|
APT56F50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A TO-247 | Inchiesta |
|
APT51F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Inchiesta |
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