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APT30SCD65B
- Modello di prodotti:
- APT30SCD65B
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE SIC 650V 46A TO247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 27761 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT30SCD65B.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.8V @ 30A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 650V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-247-2 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione dettagliata: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 46A Through Hole TO-247 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 600µA @ 650V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 46A |
| Capacità a Vr, F: | 945pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT30SCD65B
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT32F120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT31M100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 | Inchiesta |
 |
APT30M85SVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK | Inchiesta |
|
APT30SCD120S | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK | Inchiesta |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT31M100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX | Inchiesta |
|
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | Inchiesta |
 |
APT30M85BVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 | Inchiesta |
|
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | Inchiesta |
|
APT31N60BCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT31N80JC3 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT30S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3 | Inchiesta |
 |
APT30N60SC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK | Inchiesta |
|
APT33GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | Inchiesta |
|
APT32M80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT30S20BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247 | Inchiesta |
 |
APT30N60KC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 | Inchiesta |
 |
APT30S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247 | Inchiesta |
|
APT30N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | Inchiesta |
|
APT30SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A | Inchiesta |
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