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APT33GF120B2RDQ2G
- Modello di prodotti:
- APT33GF120B2RDQ2G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 1200V 64A 357W TMAX
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 27249 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT33GF120B2RDQ2G.pdf2.APT33GF120B2RDQ2G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 3V @ 15V, 25A |
| Condizione di test: | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 14ns/185ns |
| di scambio energetico: | 1.315µJ (on), 1.515µJ (off) |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 357W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| Altri nomi: | APT33GF120B2RDQ2GMI APT33GF120B2RDQ2GMI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 170nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 75A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 64A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT33GF120B2RDQ2G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
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APT30S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3 | Inchiesta |
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APT30SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A | Inchiesta |
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APT32M80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT34F100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 | Inchiesta |
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APT33N90JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT34F60BG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 | Inchiesta |
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APT33GF120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | Inchiesta |
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APT30SCD120S | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK | Inchiesta |
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APT30SCD65B | Microsemi | DIODE SIC 650V 46A TO247 | Inchiesta |
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APT34F100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX | Inchiesta |
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APT34F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 | Inchiesta |
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APT31N80JC3 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | Inchiesta |
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APT32F120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 | Inchiesta |
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APT31N60BCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 | Inchiesta |
|
APT33GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | Inchiesta |
|
APT31M100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 | Inchiesta |
|
APT31M100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX | Inchiesta |
|
APT33N90JCCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
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APT33N90JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
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