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APT32M80J
- Modello di prodotti:
- APT32M80J
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 48002 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT32M80J.pdf2.APT32M80J.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOTOP® |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 mOhm @ 24A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 543W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9326pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 303nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 800V 33A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT32M80J
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT31N80JC3 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT32F120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT34F100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT30SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A | Inchiesta |
 |
APT30SCD120S | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK | Inchiesta |
 |
APT34F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT34F100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 | Inchiesta |
|
APT33N90JCCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT30SCD65B | Microsemi | DIODE SIC 650V 46A TO247 | Inchiesta |
|
APT30S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3 | Inchiesta |
|
APT33N90JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
|
APT31M100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 | Inchiesta |
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APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | Inchiesta |
|
APT31N60BCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 | Inchiesta |
|
APT30S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247 | Inchiesta |
|
APT33GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | Inchiesta |
|
APT31M100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX | Inchiesta |
|
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | Inchiesta |
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