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APT33N90JCCU2
- Modello di prodotti:
- APT33N90JCCU2
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 38237 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT33N90JCCU2.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 3mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 290W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6800pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Super Junction |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 900V 33A (Tc) 290W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT33N90JCCU2
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | Inchiesta |
 |
APT30SCD65B | Microsemi | DIODE SIC 650V 46A TO247 | Inchiesta |
 |
APT34F60BG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 | Inchiesta |
|
APT34F100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT33N90JCCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
|
APT32M80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT31N80JC3 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT31M100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX | Inchiesta |
|
APT33GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | Inchiesta |
 |
APT33N90JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
|
APT31N60BCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | Inchiesta |
|
APT31M100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 | Inchiesta |
|
APT32F120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT34M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT33N90JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
|
APT34M60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 | Inchiesta |
|
APT34F100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 | Inchiesta |
|
APT34N80B2C3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX | Inchiesta |
|
APT34F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 | Inchiesta |
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