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APT34F60BG
- Modello di prodotti:
- APT34F60BG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 26821 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT34F60BG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-3 |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 210 mOhm @ 17A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 624W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6640pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 34A (Tc) 624W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT34F60BG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT33N90JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT34N80LC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 34A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT34M60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 | Inchiesta |
|
APT35GN120BG | Microsemi | IGBT 1200V 94A 379W TO247 | Inchiesta |
|
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | Inchiesta |
|
APT34F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 | Inchiesta |
|
APT35GN120L2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | Inchiesta |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
|
APT35GA90BD15 | Microsemi | IGBT 900V 63A 290W TO247 | Inchiesta |
|
APT34F100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 | Inchiesta |
 |
APT35GP120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | Inchiesta |
|
APT34N80B2C3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX | Inchiesta |
|
APT34F100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX | Inchiesta |
|
APT35GA90B | Microsemi | IGBT 900V 63A 290W TO-247 | Inchiesta |
 |
APT34M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT33N90JCCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
|
APT33GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | Inchiesta |
|
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | Inchiesta |
|
APT35DL120HJ | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV SOT227 | Inchiesta |
|
APT33N90JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
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