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APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
Modello di prodotti:
APT35GP120B2DQ2G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
56829 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.APT35GP120B2DQ2G.pdf2.APT35GP120B2DQ2G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:3.9V @ 15V, 35A
Condizione di test:600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:16ns/95ns
di scambio energetico:750µJ (on), 680µJ (off)
Serie:POWER MOS 7®
Potenza - Max:543W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
Altri nomi:APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:PT
carica gate:150nC
Descrizione dettagliata:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
Corrente - collettore Pulsed (Icm):140A
Corrente - collettore (Ic) (max):96A
Email:[email protected]

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Parti relative per APT35GP120B2DQ2G

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Inchiesta
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APT35SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 Inchiesta
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TO247 Inchiesta
APT34M120J Image APT34M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 Inchiesta
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Inchiesta
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APT34F60BG Image APT34F60BG Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 Inchiesta
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