ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT35GP120B2DQ2G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
56829 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT35GP120B2DQ2G.pdf2.APT35GP120B2DQ2G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT35GP120B2DQ2G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT35GP120B2DQ2G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT35GP120B2DQ2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT35GP120B2DQ2G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.9V @ 15V, 35A
ทดสอบสภาพ:600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:16ns/95ns
การสลับพลังงาน:750µJ (on), 680µJ (off)
ชุด:POWER MOS 7®
เพาเวอร์ - แม็กซ์:543W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3 Variant
ชื่ออื่น:APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:32 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:PT
ค่าใช้จ่ายประตู:150nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):140A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):96A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT35GP120B2DQ2G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT35GT120JU2 Image APT35GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 การสอบสวน
APT35GN120L2DQ2G Image APT35GN120L2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO264 การสอบสวน
APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 การสอบสวน
APT34N80B2C3G Image APT34N80B2C3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX การสอบสวน
APT35SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 การสอบสวน
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TO247 การสอบสวน
APT34M120J Image APT34M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 การสอบสวน
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 การสอบสวน
APT36GA60BD15 Image APT36GA60BD15 Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 การสอบสวน
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 การสอบสวน
APT34N80LC3G Image APT34N80LC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 34A TO-264 การสอบสวน
APT35DL120HJ Image APT35DL120HJ Microsemi DIODE MODULE 1.2KV SOT227 การสอบสวน
APT35SM70S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK การสอบสวน
APT35GN120BG Image APT35GN120BG Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO247 การสอบสวน
APT34M60B Image APT34M60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 การสอบสวน
APT35GA90B Image APT35GA90B Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO-247 การสอบสวน
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 การสอบสวน
APT35GT120JU3 Image APT35GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 55A 260W SOT227 การสอบสวน
APT34F60BG Image APT34F60BG Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 การสอบสวน
APT35GA90BD15 Image APT35GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO247 การสอบสวน

ข่าว Latest