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APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
Artikelnummer:
APT35GP120B2DQ2G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
56829 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1.APT35GP120B2DQ2G.pdf2.APT35GP120B2DQ2G.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 35A
Testbedingung:600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:16ns/95ns
Schaltenergie:750µJ (on), 680µJ (off)
Serie:POWER MOS 7®
Leistung - max:543W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3 Variant
Andere Namen:APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:PT
Gate-Ladung:150nC
detaillierte Beschreibung:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
Strom - Collector Pulsed (Icm):140A
Strom - Kollektor (Ic) (max):96A
Email:[email protected]

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