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APT36GA60BD15
- Modello di prodotti:
- APT36GA60BD15
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 65A 290W TO-247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 43705 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT36GA60BD15.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 20A |
| Condizione di test: | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 16ns/122ns |
| di scambio energetico: | 307µJ (on), 254µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Potenza - Max: | 290W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 29 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 18nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B] |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 109A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 65A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT36GA60BD15
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT37F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK | Inchiesta |
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APT36N90BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 | Inchiesta |
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APT35GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 96A 543W TO247 | Inchiesta |
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APT35SM70B | Microsemi | MOSFET N-CH 700V TO247 | Inchiesta |
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APT38F80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 | Inchiesta |
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APT38N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 | Inchiesta |
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APT35SM70S | Microsemi | MOSFET N-CH 700V D3PAK | Inchiesta |
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APT38F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 | Inchiesta |
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APT37M100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 | Inchiesta |
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APT35GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 55A 260W SOT227 | Inchiesta |
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APT38F80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX | Inchiesta |
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APT35GN120L2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | Inchiesta |
|
APT35GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 | Inchiesta |
|
APT37F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 | Inchiesta |
|
APT37M100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX | Inchiesta |
|
APT36GA60B | Microsemi | IGBT 600V 65A 290W TO-247 | Inchiesta |
|
APT35GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | Inchiesta |
|
APT35GP120JDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | Inchiesta |
|
APT35GP120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | Inchiesta |
 |
APT38M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP | Inchiesta |
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