Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT36GA60BD15
APT36GA60BD15
APT36GA60BD15
Modèle de produit:
APT36GA60BD15
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 65A 290W TO-247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
43705 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT36GA60BD15.pdf
Enquête

introduction

APT36GA60BD15 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour APT36GA60BD15, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour APT36GA60BD15 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez APT36GA60BD15 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 20A
Condition de test:400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:16ns/122ns
énergie de commutation:307µJ (on), 254µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247 [B]
Séries:POWER MOS 8™
Puissance - Max:290W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:PT
gate charge:18nC
Description détaillée:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):109A
Courant - Collecteur (Ic) (max):65A
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT36GA60BD15

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT37F50S Image APT37F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK Enquête
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 Enquête
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TO247 Enquête
APT35SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 Enquête
APT38F80L Image APT38F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 Enquête
APT38N60BC6 Image APT38N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 Enquête
APT35SM70S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK Enquête
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 Enquête
APT37M100L Image APT37M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 Enquête
APT35GT120JU3 Image APT35GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 55A 260W SOT227 Enquête
APT38F80B2 Image APT38F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX Enquête
APT35GN120L2DQ2G Image APT35GN120L2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO264 Enquête
APT35GT120JU2 Image APT35GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 Enquête
APT37F50B Image APT37F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 Enquête
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX Enquête
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 Enquête
APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Enquête
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Enquête
APT35GP120B2DQ2G Image APT35GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TMAX Enquête
APT38M50J Image APT38M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP Enquête

Latest Nouvelles