APT36GA60BD15 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APT36GA60BD15، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APT36GA60BD15 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APT36GA60BD15 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APT36GA60BD15
- رقم القطعة:
- APT36GA60BD15
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 65A 290W TO-247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43705 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APT36GA60BD15.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 20A |
| اختبار حالة: | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 16ns/122ns |
| تحويل الطاقة: | 307µJ (on), 254µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | POWER MOS 8™ |
| السلطة - ماكس: | 290W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 29 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 18nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B] |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 109A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 65A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT36GA60BD15
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT37F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK | تحقيق |
 |
APT36N90BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 | تحقيق |
|
APT35GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 96A 543W TO247 | تحقيق |
 |
APT35SM70B | Microsemi | MOSFET N-CH 700V TO247 | تحقيق |
 |
APT38F80L | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 | تحقيق |
|
APT38N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 | تحقيق |
|
APT35SM70S | Microsemi | MOSFET N-CH 700V D3PAK | تحقيق |
 |
APT38F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 | تحقيق |
|
APT37M100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 | تحقيق |
 |
APT35GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 55A 260W SOT227 | تحقيق |
 |
APT38F80B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX | تحقيق |
|
APT35GN120L2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | تحقيق |
|
APT35GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 | تحقيق |
|
APT37F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 | تحقيق |
|
APT37M100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX | تحقيق |
|
APT36GA60B | Microsemi | IGBT 600V 65A 290W TO-247 | تحقيق |
|
APT35GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | تحقيق |
|
APT35GP120JDQ2 | Microsemi | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | تحقيق |
|
APT35GP120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | تحقيق |
 |
APT38M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة