Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT36GA60BD15
APT36GA60BD15
APT36GA60BD15
Αριθμός εξαρτήματος:
APT36GA60BD15
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 600V 65A 290W TO-247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
43705 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT36GA60BD15.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT36GA60BD15 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT36GA60BD15, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT36GA60BD15 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT36GA60BD15 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 20A
Test Condition:400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:16ns/122ns
εναλλαγή Ενέργειας:307µJ (on), 254µJ (off)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247 [B]
Σειρά:POWER MOS 8™
Ισχύς - Max:290W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:29 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:PT
πύλη Χρέωση:18nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):109A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):65A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT36GA60BD15

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT37F50S Image APT37F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK Έρευνα
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 Έρευνα
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TO247 Έρευνα
APT35SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 Έρευνα
APT38F80L Image APT38F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 Έρευνα
APT38N60BC6 Image APT38N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 Έρευνα
APT35SM70S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK Έρευνα
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 Έρευνα
APT37M100L Image APT37M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 Έρευνα
APT35GT120JU3 Image APT35GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 55A 260W SOT227 Έρευνα
APT38F80B2 Image APT38F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX Έρευνα
APT35GN120L2DQ2G Image APT35GN120L2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO264 Έρευνα
APT35GT120JU2 Image APT35GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 Έρευνα
APT37F50B Image APT37F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 Έρευνα
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX Έρευνα
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 Έρευνα
APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Έρευνα
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Έρευνα
APT35GP120B2DQ2G Image APT35GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TMAX Έρευνα
APT38M50J Image APT38M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP Έρευνα

Latest Ειδήσεις