Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT35SM70B
APT35SM70B
Αριθμός εξαρτήματος:
APT35SM70B
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 700V TO247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
26411 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT35SM70B.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT35SM70B είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT35SM70B, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT35SM70B μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT35SM70B με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+25V, -10V
Τεχνολογία:SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:145 mOhm @ 10A, 20V
Έκλυση ενέργειας (Max):176W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1035pF @ 700V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:67nC @ 20V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):20V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):700V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 700V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT35SM70B

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 Έρευνα
APT35GN120L2DQ2G Image APT35GN120L2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO264 Έρευνα
APT37F50S Image APT37F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK Έρευνα
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 Έρευνα
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Έρευνα
APT35GA90BD15 Image APT35GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO247 Έρευνα
APT35GT120JU3 Image APT35GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 55A 260W SOT227 Έρευνα
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX Έρευνα
APT35SM70S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK Έρευνα
APT37M100L Image APT37M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 Έρευνα
APT35GP120B2DQ2G Image APT35GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TMAX Έρευνα
APT36GA60BD15 Image APT36GA60BD15 Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 Έρευνα
APT38F80B2 Image APT38F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX Έρευνα
APT35GN120BG Image APT35GN120BG Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO247 Έρευνα
APT35GT120JU2 Image APT35GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 Έρευνα
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 Έρευνα
APT35GA90B Image APT35GA90B Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO-247 Έρευνα
APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 Έρευνα
APT37F50B Image APT37F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 Έρευνα
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TO247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις