ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - Rectifiers - โทนเดียว > APT30SCD65B
APT30SCD65B
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT30SCD65B
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE SIC 650V 46A TO247
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
27761 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT30SCD65B.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT30SCD65B พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT30SCD65B เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT30SCD65B ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT30SCD65B ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1.8V @ 30A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):650V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247
ความเร็ว:No Recovery Time > 500mA (Io)
ชุด:-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):0ns
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-2
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-55°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทไดโอด:Silicon Carbide Schottky
คำอธิบายโดยละเอียด:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 46A Through Hole TO-247
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:600µA @ 650V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):46A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:945pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT30SCD65B

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT32F120J Image APT32F120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 การสอบสวน
APT31M100L Image APT31M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 การสอบสวน
APT30M85SVFRG Image APT30M85SVFRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK การสอบสวน
APT30SCD120S Image APT30SCD120S Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK การสอบสวน
APT33N90JCCU2 Image APT33N90JCCU2 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 การสอบสวน
APT31M100B2 Image APT31M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX การสอบสวน
APT33GF120B2RDQ2G Image APT33GF120B2RDQ2G Microsemi IGBT 1200V 64A 357W TMAX การสอบสวน
APT30M85BVRG Image APT30M85BVRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 การสอบสวน
APT33GF120LRDQ2G Image APT33GF120LRDQ2G Microsemi IGBT 1200V 64A 357W TO264 การสอบสวน
APT31N60BCSG Image APT31N60BCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 การสอบสวน
APT31N80JC3 Image APT31N80JC3 Microsemi MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 การสอบสวน
APT30S20SG Image APT30S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3 การสอบสวน
APT30N60SC6 Image APT30N60SC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK การสอบสวน
APT33GF120BRG Image APT33GF120BRG Microsemi IGBT 1200V 52A 297W TO247 การสอบสวน
APT32M80J Image APT32M80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 การสอบสวน
APT30S20BCTG Image APT30S20BCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247 การสอบสวน
APT30N60KC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 การสอบสวน
APT30S20BG Image APT30S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247 การสอบสวน
APT30N60BC6 Image APT30N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 การสอบสวน
APT30SCD120B Image APT30SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A การสอบสวน

ข่าว Latest