ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT33GF120LRDQ2G
APT33GF120LRDQ2G
APT33GF120LRDQ2G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT33GF120LRDQ2G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 1200V 64A 357W TO264
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
47893 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT33GF120LRDQ2G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT33GF120LRDQ2G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT33GF120LRDQ2G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT33GF120LRDQ2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT33GF120LRDQ2G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3V @ 15V, 25A
ทดสอบสภาพ:800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:14ns/185ns
การสลับพลังงาน:1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-264 [L]
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:357W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-264-3, TO-264AA
ชื่ออื่น:APT33GF120LRDQ2GMI
APT33GF120LRDQ2GMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:170nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L]
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):75A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):64A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT33GF120LRDQ2G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT33N90JCCU2 Image APT33N90JCCU2 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 การสอบสวน
APT34M120J Image APT34M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 การสอบสวน
APT32F120J Image APT32F120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 การสอบสวน
APT33N90JCU2 Image APT33N90JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 การสอบสวน
APT34F60BG Image APT34F60BG Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 การสอบสวน
APT31M100B2 Image APT31M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX การสอบสวน
APT34F100B2 Image APT34F100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX การสอบสวน
APT34M60B Image APT34M60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 การสอบสวน
APT31N60BCSG Image APT31N60BCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 การสอบสวน
APT31N80JC3 Image APT31N80JC3 Microsemi MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 การสอบสวน
APT30SCD65B Microsemi DIODE SIC 650V 46A TO247 การสอบสวน
APT34F60B Image APT34F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 การสอบสวน
APT34F100L Image APT34F100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 การสอบสวน
APT33GF120BRG Image APT33GF120BRG Microsemi IGBT 1200V 52A 297W TO247 การสอบสวน
APT31M100L Image APT31M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 การสอบสวน
APT33N90JCU3 Image APT33N90JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 การสอบสวน
APT33GF120B2RDQ2G Image APT33GF120B2RDQ2G Microsemi IGBT 1200V 64A 357W TMAX การสอบสวน
APT30SCD120S Image APT30SCD120S Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK การสอบสวน
APT32M80J Image APT32M80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 การสอบสวน
APT33N90JCCU3 Image APT33N90JCCU3 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 การสอบสวน

ข่าว Latest