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APT30N60SC6
- Modello di prodotti:
- APT30N60SC6
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 25725 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT30N60SC6.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 960µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D3Pak |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 125 mOhm @ 14.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 219W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2267pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 88nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Surface Mount D3Pak |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT30N60SC6
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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APT30S20BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247 | Inchiesta |
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APT30S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247 | Inchiesta |
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APT30SCD65B | Microsemi | DIODE SIC 650V 46A TO247 | Inchiesta |
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APT30M40JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 | Inchiesta |
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APT30M70SVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK | Inchiesta |
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APT30M70BVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 | Inchiesta |
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APT30M85BVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 | Inchiesta |
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APT31N80JC3 | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | Inchiesta |
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APT31N60BCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 | Inchiesta |
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APT31M100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 | Inchiesta |
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APT30M85SVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK | Inchiesta |
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APT31M100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX | Inchiesta |
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APT30SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A | Inchiesta |
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APT30SCD120S | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK | Inchiesta |
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APT30M85BVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 | Inchiesta |
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APT30S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3 | Inchiesta |
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APT30M60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 | Inchiesta |
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APT30M70BVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 | Inchiesta |
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APT30N60KC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 | Inchiesta |
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APT30N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | Inchiesta |
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