Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N5807URS
JAN1N5807URS
Nomor bagian:
JAN1N5807URS
Pabrikan:
Microsemi
Deskripsi:
DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Status Bebas Timbal:
Berisi timbal / RoHS tidak patuh
Jumlah stok:
51451 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
JAN1N5807URS.pdf
Penyelidikan

pengantar

JAN1N5807URS tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk JAN1N5807URS, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk JAN1N5807URS melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli JAN1N5807URS dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika:875mV @ 4A
Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max):50V
Paket Perangkat pemasok:B, SQ-MELF
Kecepatan:Fast Recovery = 200mA (Io)
Seri:Military, MIL-PRF-19500/477
Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr):30ns
Pengemasan:Bulk
Paket / Case:SQ-MELF, B
Nama lain:1086-19438
1086-19438-MIL
Suhu Operasional - Junction:-65°C ~ 175°C
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
diode Jenis:Standard
Detil Deskripsi:Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr:5µA @ 50V
Saat ini - rata Rectified (Io):3A
Kapasitansi @ Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk JAN1N5807URS

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
JAN1N5819-1 Image JAN1N5819-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 Penyelidikan
JAN1N5806 Image JAN1N5806 Microsemi DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5807US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF Penyelidikan
JAN1N5807 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5811URS Microsemi DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG Penyelidikan
JAN1N5811 Microsemi DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5804US Image JAN1N5804US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A Penyelidikan
JAN1N5809URS Microsemi DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG Penyelidikan
JAN1N5814 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA Penyelidikan
JAN1N5802URS Microsemi DIODE GEN PURP 50V 1A APKG Penyelidikan
JAN1N5802 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5809US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF Penyelidikan
JAN1N5802US Image JAN1N5802US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A Penyelidikan
JAN1N5804 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5809 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5811US Image JAN1N5811US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF Penyelidikan
JAN1N5804URS Microsemi DIODE GEN PURP 100V 1A APKG Penyelidikan
JAN1N5816 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA Penyelidikan
JAN1N5806URS Microsemi DIODE GEN PURP 150V 1A APKG Penyelidikan
JAN1N5806US Image JAN1N5806US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A Penyelidikan

Latest Berita