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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > JAN1N5807URS
JAN1N5807URS
Número de pieza:
JAN1N5807URS
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Estado sin plomo:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad de stock:
51451 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
JAN1N5807URS.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:875mV @ 4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):50V
Paquete del dispositivo:B, SQ-MELF
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/477
Tiempo de recuperación inversa (trr):30ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SQ-MELF, B
Otros nombres:1086-19438
1086-19438-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo:Standard
Descripción detallada:Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io):3A
Capacitancia Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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