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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N5807URS
JAN1N5807URS
Modèle de produit:
JAN1N5807URS
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
51451 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN1N5807URS.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si:875mV @ 4A
Tension - inverse (Vr) (max):50V
Package composant fournisseur:B, SQ-MELF
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:Military, MIL-PRF-19500/477
Temps de recouvrement inverse (trr):30ns
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SQ-MELF, B
Autres noms:1086-19438
1086-19438-MIL
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 175°C
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr:5µA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io):3A
Capacité à Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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