Το JAN1N5807URS είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN1N5807URS, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN1N5807URS μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN1N5807URS με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JAN1N5807URS
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN1N5807URS
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 51451 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JAN1N5807URS.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 875mV @ 4A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 50V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | B, SQ-MELF |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 30ns |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SQ-MELF, B |
| Αλλα ονόματα: | 1086-19438 1086-19438-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -65°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 5µA @ 50V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 3A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N5807URS
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5819-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 | Έρευνα |
 |
JAN1N5806 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | Έρευνα |
 |
JAN1N5807US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF | Έρευνα |
|
JAN1N5807 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N5811URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG | Έρευνα |
|
JAN1N5811 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | Έρευνα |
 |
JAN1N5804US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A | Έρευνα |
|
JAN1N5809URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG | Έρευνα |
|
JAN1N5814 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | Έρευνα |
|
JAN1N5802URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1A APKG | Έρευνα |
|
JAN1N5802 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF | Έρευνα |
|
JAN1N5802US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A | Έρευνα |
|
JAN1N5804 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL | Έρευνα |
 |
JAN1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF | Έρευνα |
|
JAN1N5804URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1A APKG | Έρευνα |
|
JAN1N5816 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA | Έρευνα |
|
JAN1N5806URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1A APKG | Έρευνα |
|
JAN1N5806US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο