Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > JAN1N5802US
JAN1N5802US
JAN1N5802US
Αριθμός εξαρτήματος:
JAN1N5802US
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα αποθέματος:
52999 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
JAN1N5802US.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το JAN1N5802US είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN1N5802US, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN1N5802US μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN1N5802US με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:975mV @ 2.5A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max):50V
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:D-5A
Ταχύτητα:Fast Recovery = 200mA (Io)
Σειρά:Military, MIL-PRF-19500/477
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):25ns
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:SQ-MELF, A
Αλλα ονόματα:1086-2118
1086-2118-MIL
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:-65°C ~ 175°C
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:8 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Τύπος:Standard
Λεπτομερής περιγραφή:Diode Standard 50V 2.5A Surface Mount D-5A
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:1µA @ 50V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io):2.5A
Χωρητικότητα @ VR, F:25pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N5802US

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
JAN1N5807US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF Έρευνα
JAN1N5622US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Έρευνα
JAN1N5621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N5623 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N5806URS Microsemi DIODE GEN PURP 150V 1A APKG Έρευνα
JAN1N5711UR-1 Image JAN1N5711UR-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA Έρευνα
JAN1N5621US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A Έρευνα
JAN1N5711-1 Image JAN1N5711-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35 Έρευνα
JAN1N5622 Image JAN1N5622 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N5807URS Microsemi DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG Έρευνα
JAN1N5802 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL Έρευνα
JAN1N5806 Image JAN1N5806 Microsemi DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL Έρευνα
JAN1N5804URS Microsemi DIODE GEN PURP 100V 1A APKG Έρευνα
JAN1N5807 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL Έρευνα
JAN1N5806US Image JAN1N5806US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A Έρευνα
JAN1N5623US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Έρευνα
JAN1N5809 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL Έρευνα
JAN1N5804US Image JAN1N5804US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A Έρευνα
JAN1N5802URS Microsemi DIODE GEN PURP 50V 1A APKG Έρευνα
JAN1N5804 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL Έρευνα

Latest Ειδήσεις