Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N5806URS
JAN1N5806URS
Nomor bagian:
JAN1N5806URS
Pabrikan:
Microsemi
Deskripsi:
DIODE GEN PURP 150V 1A APKG
Status Bebas Timbal:
Berisi timbal / RoHS tidak patuh
Jumlah stok:
35511 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lead time:
4-8 weeks
Lembaran data:
JAN1N5806URS.pdf
Penyelidikan

pengantar

JAN1N5806URS tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk JAN1N5806URS, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk JAN1N5806URS melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli JAN1N5806URS dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New & Original, tested
Negara Asal Contact us
Kode Penandaan Send by email
Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika:875mV @ 1A
Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max):150V
Paket Perangkat pemasok:A-MELF
Kecepatan:Fast Recovery = 200mA (Io)
Seri:Military, MIL-PRF-19500/477
Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr):25ns
Pengemasan:Bulk
Paket / Case:SQ-MELF, A
Nama lain:1086-19435
1086-19435-MIL
Suhu Operasional - Junction:-65°C ~ 175°C
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
diode Jenis:Standard
Detil Deskripsi:Diode Standard 150V 1A Surface Mount A-MELF
Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr:1µA @ 150V
Saat ini - rata Rectified (Io):1A
Kapasitansi @ Vr, F:25pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk JAN1N5806URS

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
JAN1N5807URS Microsemi DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG Penyelidikan
JAN1N5809URS Microsemi DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG Penyelidikan
JAN1N5806 Image JAN1N5806 Microsemi DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5802 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5811US Image JAN1N5811US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF Penyelidikan
JAN1N5811URS Microsemi DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG Penyelidikan
JAN1N5804US Image JAN1N5804US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A Penyelidikan
JAN1N5807US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF Penyelidikan
JAN1N5809US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF Penyelidikan
JAN1N5711-1 Image JAN1N5711-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35 Penyelidikan
JAN1N5623US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Penyelidikan
JAN1N5811 Microsemi DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5802US Image JAN1N5802US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A Penyelidikan
JAN1N5807 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5809 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL Penyelidikan
JAN1N5711UR-1 Image JAN1N5711UR-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA Penyelidikan
JAN1N5804URS Microsemi DIODE GEN PURP 100V 1A APKG Penyelidikan
JAN1N5802URS Microsemi DIODE GEN PURP 50V 1A APKG Penyelidikan
JAN1N5806US Image JAN1N5806US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A Penyelidikan
JAN1N5804 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL Penyelidikan

Latest Berita