Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT65GP60B2G
APT65GP60B2G
APT65GP60B2G
Αριθμός εξαρτήματος:
APT65GP60B2G
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 600V 100A 833W TMAX
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
55130 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT65GP60B2G.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT65GP60B2G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT65GP60B2G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT65GP60B2G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT65GP60B2G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 65A
Test Condition:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:30ns/91ns
εναλλαγή Ενέργειας:605µJ (on), 896µJ (off)
Σειρά:POWER MOS 7®
Ισχύς - Max:833W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3 Variant
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:PT
πύλη Χρέωση:210nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):250A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):100A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT65GP60B2G

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX Έρευνα
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 Έρευνα
APT60N60SCSG/TR Image APT60N60SCSG/TR Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK Έρευνα
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 Έρευνα
APT60S20SG Image APT60S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 Έρευνα
APT60S20BG Image APT60S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 Έρευνα
APT64GA90B Image APT64GA90B Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO247 Έρευνα
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 Έρευνα
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 Έρευνα
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 Έρευνα
APT60N60SCSG Image APT60N60SCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK Έρευνα
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 Έρευνα
APT60N60BCSG Image APT60N60BCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 Έρευνα
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 Έρευνα
APT60S20SG/TR Image APT60S20SG/TR Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK Έρευνα
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 Έρευνα
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 Έρευνα
APT65GP60L2DQ2G Image APT65GP60L2DQ2G Microsemi IGBT 600V 198A 833W TO264 Έρευνα
APT60S20B2CTG Image APT60S20B2CTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX Έρευνα
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 Έρευνα

Latest Ειδήσεις