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APT65GP60B2G
APT65GP60B2G
Artikelnummer:
APT65GP60B2G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
IGBT 600V 100A 833W TMAX
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
55130 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
APT65GP60B2G.pdf
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Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 65A
Testbedingung:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:30ns/91ns
Schaltenergie:605µJ (on), 896µJ (off)
Serie:POWER MOS 7®
Leistung - max:833W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:PT
Gate-Ladung:210nC
detaillierte Beschreibung:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
Strom - Collector Pulsed (Icm):250A
Strom - Kollektor (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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